Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -59 A 188 W, 8-Pin PG-TDSON-8

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

24mΩ

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-59A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

188W