Infineon OptiMOS P3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 39.6 A 40 W, 8-Pin TSDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

18mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

20nC

Gehäusegröße

TSDSON

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

39.6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C