Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

230mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

2.9nC

Gehäusegröße

SOT-23

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C