Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

140nC

Gehäusegröße

TDSON

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

150°C