Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SC-70

Name: Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SC-70
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSS223PWH6327XTSA1

Produkt-Nr.: P-DRLTFN-DRXTKJ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2.1Ω
Durchlassspannung (Vf): -1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 0.5nC
Gehäusegröße: SC-70
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 310mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 250mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS P

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 310mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SC-70
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.1Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 250mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.8mm
Automobilstandard = AEC-Q101