Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin DSO

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

12.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

66nC

Gehäusegröße

DSO

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

14.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C