Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 339 A 214 W, 12-Pin PG-TSON-12

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.99mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

115nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

PG-TSON-12

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

339A