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Infineon OptiMOS 7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 274 A 219 W, 8-Pin PG-TDSON-8-53

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IAUCN08S7N013ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRGHTS-DR2YVT

Technische Daten

Automobilstandard
Nein
Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
1.3mΩ
Gehäusegröße
PG-TDSON-8-53
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
274A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
219W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 274A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = PG-TDSON-8-53
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.30mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 219W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS Compliant
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET