Infineon OptiMOS 7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 274 A 219 W, 8-Pin PG-TDSON-8-53
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.3mΩ
- Gehäusegröße
- PG-TDSON-8-53
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 274A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 219W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS Compliant
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS 7
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 274A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = PG-TDSON-8-53
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.30mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 219W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS Compliant
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET