Infineon OptiMOS 6 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 60 A, 3-Pin PG-HSOF-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 70mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 15nC
- Gehäusegröße
- PG-HSOF-8
- Höhe
- 2.4mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 60A
- Länge
- 10.1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Einfache MOSFETs
- Serie
- OptiMOS 6
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Einfache MOSFETs
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 60A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 70mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 15nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 10.1mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET