Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 24 A 43 W, 8-Pin PG-TSDSON-8

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

120V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

33mΩ

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

24A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

43W