Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 40 A 50 W, 8-Pin PQFN

Name: Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 40 A 50 W, 8-Pin PQFN
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSZ110N08NS5ATMA1

Produkt-Nr.: P-DP8BJW-DRSHR3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: N
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 11mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 15nC
Gehäusegröße: PQFN
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 40A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 50W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS 5

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 40A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Serie = OptiMOS 5
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 11mΩ
Channel-Modus = N
Durchlassspannung Vf = 1.2V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein