Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 62 A 69 W, 8-Pin PQFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 12nC
- Gehäusegröße
- PQFN
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 62A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 69W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS 5
Produktbeschreibung
Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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