Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

216nC

Gehäusegröße

HSOF

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

300A

Maximale Betriebstemperatur

175°C