Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 789 A 278 W, 8-Pin PG-WHSON-8

Name: Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 789 A 278 W, 8-Pin PG-WHSON-8
Brand: INFINEON
Price: 4.31 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IQDH29NE2LM5SCATMA1

Produkt-Nr.: P-DRGHTW-DR2YVX

Technische Daten

Automobilstandard: Nein
Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 25V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.29mΩ
Gehäusegröße: PG-WHSON-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 789A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 278W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: RoHS Compliant
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS 5

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 789A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 25V
Gehäusegröße = PG-WHSON-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.29mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 278W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS Compliant
Automobilstandard = Nein

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