Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 176 A 69 W, 8-Pin TSDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 25V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.45mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.6V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 11nC
- Gehäusegröße
- TSDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 176A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 69W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS 5
Produktbeschreibung
Die Infineon Serie bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, einschließlich der CoolMOS-, OptiMOS- und Stark-IRFET-Familien. Mit der Produktfamilie OptiMOS-5 von 25 V und 30 V bietet Infineon Referenzlösungen, indem es sowohl im Standby- als auch im Vollbetrieb höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz ermöglicht. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.Monolithische integrierte Schottky-Diode 100%ig auf Stoßentladung geprüft
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 1,64 € 1,95 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 40 verfügbar | ||
| 12 Monate | 0,81 € 0,96 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten