Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 260 A, 8-Pin HSOF
Technische Daten
- Automobilstandard
- AEC-Q101
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.9mΩ
- Gehäusegröße
- HSOF
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 260A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS 5
Produktbeschreibung
Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS--5-Serie mit 100 V für den Kfz-Einsatz. Es hat den TOLL-Gehäusetyp (HSOF-8).N-Kanal - Anreicherungstyp MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur Extrem niedriger RDS(on)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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