Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 200 A, 8-Pin PG-HSOF-8

Name: Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 200 A, 8-Pin PG-HSOF-8
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IAUT200N08S5N023ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRH7DT-DRVM35

Technische Daten

Automobilstandard: AEC-Q101
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2.3mΩ
Gehäusegröße: PG-HSOF-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 200A
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: No
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET & Diode
Serie: OptiMOS 5

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET & Diode
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 200A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.3mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = AEC-Q101

Bestes Angebot

1,44 €

1,71 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Nicht vorrätig

Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 2000Mengenintervall: 2000

Weitere Angebote anzeigen (1)

Sichere Zahlung