Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 205 A 115 W, 8-Pin TDSON

Name: Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 205 A 115 W, 8-Pin TDSON
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSC014N04LSTATMA1

Produkt-Nr.: P-DRH7DH-DRVM3T

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 1.4mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 61nC
Gehäusegröße: TDSON
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 205A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 115W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET & Diode
Serie: OptiMOS 5

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET & Diode
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 205A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.4mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 61nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 5.35mm
Automobilstandard = Nein