Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 150 V / 105 A, 3-Pin TO-263

Der Infineon OptiMOS Linear FET ist ein revolutionärer Ansatz, um den Kompromiss zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on)) und der Fähigkeit im linearen Modus zu vermeiden - Betrieb im Sättigungsbereich eines erweiterten MOSFET. Er bietet den neuesten R DS(on) eines Trench-MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.Kombination aus niedrigem R DS(on) und großem sicheren Betriebsbereich (SOA) Hoher max. Impulsstrom Hoher kontinuierlicher Impulsstrom Robuster linearer Betrieb Geringe Leitungsverluste Höherer Einschaltstrom ermöglicht schnelleres Hochfahren und kürzere Ausfallzeiten Zeit