Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 66 A 60 W, 8-Pin SO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 9.5mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 22nC
- Gehäusegröße
- SO-8
- Höhe
- 5.35mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 66A
- Länge
- 6.1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 60W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS 5
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = SO-8
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 9.5mΩ
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 22nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.1mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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