Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 86 A 65 W, 8-Pin PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

39nC

Gehäusegröße

PQFN

Höhe

3.4mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

86A

Maximale Betriebstemperatur

175°C