Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 150 A 125 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.8mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

73nC

Gehäusegröße

SO-8

Höhe

5.35mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

150A

Länge

6.1mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C