Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 55 A 96 W, 8-Pin PG-TDSON-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 150V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 15.2mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 23nC
- Gehäusegröße
- PG-TDSON-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 55A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 96W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Serie
- OptiMOS 5
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 55A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 150V
Gehäusegröße = PG-TDSON-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 15.2mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 23nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET