Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 73 A 50 W, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.9mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 30nC
- Gehäusegröße
- TDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 73A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 50W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS 3
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 73A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 5.9mΩ
Channel-Modus = N
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 5.35mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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