Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

9.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

52nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

80A

Maximale Betriebstemperatur

175°C