Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55 A 66 W, 8-Pin TDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

24mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

19nC

Gehäusegröße

TDSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

55A

Maximale Betriebstemperatur

150°C