Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin WDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

108nC

Gehäusegröße

WDSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

90A

Maximale Betriebstemperatur

150°C