Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.2 A 1 W, 4-Pin SOT-89

Name: Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.2 A 1 W, 4-Pin SOT-89
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSS606N H6327

Produkt-Nr.: P-DP8R2S-DRS2VL

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 90mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 3.7nC
Gehäusegröße: SOT-89
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3.2A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS 3

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SOT-89
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 90mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.5mm
Automobilstandard = AEC-Q101