Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 69 W, 8-Pin TSDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

12.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.83V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

23nC

Gehäusegröße

TSDSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

20A

Maximale Betriebstemperatur

150°C