Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

Name: Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSC020N03LSGATMA2

Produkt-Nr.: P-DRLTRW-DRWBDW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2.9mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 34nC
Gehäusegröße: TDSON
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 100A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 96W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS 3

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 100A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 96W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.1mm
Automobilstandard = Nein