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Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 10.9 A 62.5 W, 8-Pin TSDSON

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSZ16DN25NS3GATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFFNX-DRSHW6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
250V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
165mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
8.6nC
Gehäusegröße
TSDSON
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
10.9A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die Infineon 250-V-OptiMOS-Produkte sind führende Benchmark-Technologien, die sich perfekt für die synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandlern, unterbrechungsfreien Netzteilen (USV) und Wechselrichtern für DC-Motorantriebe eignen. Mit niedrigstem Platinenplatzverbrauch ermöglicht dies eine Verbesserung der Systemkosten. Sie bieten erstklassige Leistung für mehr Effizienz, Leistungsdichte und umweltfreundliche Eigenschaften.Er hat eine Betriebstemperatur von 150 °C. Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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