Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 10.9 A 62.5 W, 8-Pin TSDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 250V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 165mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 8.6nC
- Gehäusegröße
- TSDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 10.9A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 62.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS 3
Produktbeschreibung
Die Infineon 250-V-OptiMOS-Produkte sind führende Benchmark-Technologien, die sich perfekt für die synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandlern, unterbrechungsfreien Netzteilen (USV) und Wechselrichtern für DC-Motorantriebe eignen. Mit niedrigstem Platinenplatzverbrauch ermöglicht dies eine Verbesserung der Systemkosten. Sie bieten erstklassige Leistung für mehr Effizienz, Leistungsdichte und umweltfreundliche Eigenschaften.Er hat eine Betriebstemperatur von 150 °C. Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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