Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 8.2mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 42nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 80A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 125W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS 3
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 80A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Serie = OptiMOS 3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 8.2mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 42nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.73mm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,69 € 0,82 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 2500 verfügbar | ||
| 12 Monate | 1,28 € 1,52 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten