Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

156nC

Gehäusegröße

HSOF

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

300A

Maximale Betriebstemperatur

175°C