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Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 180 A, 3-Pin TO-263

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB019N08N3GATMA1

Produkt-Nr.: P-DRH7D5-DRVM4H

Technische Daten

Automobilstandard
Nein
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
1.9mΩ
Gehäusegröße
TO-263
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
180A
Montageart
Oberfläche
Normen/Zulassungen
No
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET & Diode
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 180A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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