Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 80 A, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 6.5mΩ
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 80A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET & Diode
- Serie
- OptiMOS 3
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET & Diode
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 80A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Serie = OptiMOS 3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 6.5mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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