Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

85mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

2.1nC

Gehäusegröße

SOT-23

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C