Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.5 A 0.5 W, 6-Pin US

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

250mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

0.8nC

Gehäusegröße

US

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C