Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SC-70
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 240mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 0.6nC
- Gehäusegröße
- SC-70
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 1.4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 500mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS 2
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 1.4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SC-70
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 240mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 500mW
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 0.8mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043392189
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