Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27 A 58 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 33mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 24nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 27A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 58W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS 2
Produktbeschreibung
Die 100-V-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese Familie sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM (Leistungszahl) eine Reduktion von 30 %.N-Kanal, normale Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM) Sehr geringer Widerstand R DS(ON) Bleifreie Leitungsbeschichtung Zugelassen gemäß JEDEC für Zielanwendung Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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