Infineon Oberfläche Transistor NPN 6 V / 35 mA, TSFP 3-Pin
Technische Daten
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 90
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 2V
- Gehäusegröße
- TSFP
- Höhe
- 0.55mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 15V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 6V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 35mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 14GHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 210mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 35mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 6V
Gehäusegröße = TSFP
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 15V
Maximale Verlustleistung Pd = 210mW
Pinanzahl = 3°C
Länge = 1.2mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043626789
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