Infineon Oberfläche Transistor NPN 2.25 V / 35 mA, TSFP 4-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

150

Gehäusegröße

TSFP

Höhe

0.55mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

2.9V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

2.25V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

35mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

85GHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

75mW