Infineon Oberfläche Rauscharmer Silizium-Bipolar-HF-Transistor 20 V / 65 mA, SOT-143 4-Pin

Name: Infineon Oberfläche Rauscharmer Silizium-Bipolar-HF-Transistor 20 V / 65 mA, SOT-143 4-Pin
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BFP183E7764HTSA1

Produkt-Nr.: P-DRH6DN-DRVDT5

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 70
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 2V
Gehäusegröße: SOT-143
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 20V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 20V
Kollektorstrom DC max. (Idc): 65mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft): 8GHz
Maximale Verlustleistung (Pd): 250mW
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: AEC-Q101
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: Rauscharmer Silizium-Bipolar-HF-Transistor
Serie: BFP183

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Rauscharmer Silizium-Bipolar-HF-Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 65mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 20V
Gehäusegröße = SOT-143
Montageart = Oberfläche
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 20V
Maximale Verlustleistung Pd = 250mW
Pinanzahl = 4°C
Normen/Zulassungen = AEC-Q101
Automobilstandard = AEC-Q101

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