Infineon Oberfläche Rauscharmer Silizium-Bipolar-HF-Transistor 20 V / 20 mA, SOT-323 3-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

70

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

2V

Gehäusegröße

SOT-323

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

20V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

20V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

20mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

6GHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

300mW