Infineon Oberfläche NPN-HF-Bipolartransistor NPN 4 V / 40 mA, TSLP 4-Pin

Name: Infineon Oberfläche NPN-HF-Bipolartransistor NPN 4 V / 40 mA, TSLP 4-Pin
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BFR740L3RHE6327XTSA1

Produkt-Nr.: P-DRBHKS-DRP7FT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 160
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 1.2V
Gehäusegröße: TSLP
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 13V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 4V
Kollektorstrom DC max. (Idc): 40mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft): 42GHz
Maximale Verlustleistung (Pd): 160mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Polarität des Transistors: NPN
Produkt Typ: NPN-HF-Bipolartransistor
Serie: BFR740L3RH

Produktbeschreibung

Der Infineon BFP740L3RH ist ein Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C)-NPN-Heterojunction-Breitband-bipolarer HF-Transistor (HBT).Rauscharmer Wert NFmin = 0,5 dB bei 1,9 GHz, 0,8 dB bei 5,5 GHz, 3 V, 6 mA Hohe Leistungsverstärkung Gms = 20 dB bei 5,5 GHz, 3 V, 15 mA Flaches Gehäuse ohne Kabel mit kleinem Formfaktor

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