Infineon, Oberfläche MOSFET 2000 V / 50 A AG-EASY3B

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

2000V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

26.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

6.15V

Gehäusegröße

AG-EASY3B

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

50A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Produkt Typ

MOSFET