Infineon Oberfläche HF-Transistor NPN 20 V / 65 mA, US 6-Pin

Name: Infineon Oberfläche HF-Transistor NPN 20 V / 65 mA, US 6-Pin
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BFS483H6327XTSA1

Produkt-Nr.: P-DRHCTZ-DRVK42

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 70
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 2V
Gehäusegröße: US
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 20V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 20V
Kollektorstrom DC max. (Idc): 65mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft): 8GHz
Maximale Verlustleistung (Pd): 450mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Polarität des Transistors: NPN
Produkt Typ: HF-Transistor
Transistor-Konfiguration: Isoliert

Produktbeschreibung

Produkt Typ = HF-Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 65mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 20V
Gehäusegröße = US
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 20V
Maximale Verlustleistung Pd = 450mW
Pinanzahl = 6°C
Höhe = 0.9mm
Automobilstandard = AEC-Q101

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Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 3000Mengenintervall: 3000

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