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Infineon Oberfläche HF-Transistor NPN 12 V / 80 mA, TSFP 3-Pin

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BFR193FH6327XTSA1

Produkt-Nr.: P-DRH3M7-DRYSTH

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
70
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
2V
Gehäusegröße
TSFP
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
20V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
12V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
80mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
8GHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
580mW

Produktbeschreibung

Produkt Typ = HF-Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 80mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 12V
Gehäusegröße = TSFP
Montageart = Oberfläche
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 20V
Maximale Verlustleistung Pd = 580mW
Pinanzahl = 3°C
Normen/Zulassungen = RoHS, Pb-Free
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren

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