Infineon Oberfläche HF-Transistor NPN 12 V / 150 mA, SOT-343 4-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 70
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 2V
- Gehäusegröße
- SOT-343
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 20V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 12V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 150mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 7.5GHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 700mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- HF-Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Npn-Silizium-Planar-Epitaxietransistor
Produktbeschreibung
Der Infineon NPN planare Silizium-Epitaxialtransistor in 4-poligem Dual-Emitter-SOT343-Gehäuse für rauscharme und verzerrungsarme Breitbandverstärker. Dieser HF-Transistor profitiert von der langfristigen Erfahrung in HF-Komponenten und kombiniert Benutzerfreundlichkeit mit stabiler Volumenproduktion bei gleichbleibender Qualität und Zuverlässigkeit.Bleifrei Halogenfrei Übergangsfrequenz von 7,5 GHz
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
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