Infineon Oberfläche Bipolarer Transistor NPN 20 V / 65 mA, SOT-23 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 70
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 2V
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 20V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 20V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 65mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 8GHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 450mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Polarität des Transistors
- NPN
- Produkt Typ
- Bipolarer Transistor
- Transistor-Konfiguration
- NPN
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Bipolarer Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 65mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 20V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = NPN
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 20V
Maximale Verlustleistung Pd = 450mW
Pinanzahl = 3°C
Höhe = 1mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
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