Infineon N-Kanal-MOSFET OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 50 A 6.25 W, 8-Pin Stromplatine 5x6

Name: Infineon N-Kanal-MOSFET OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 50 A 6.25 W, 8-Pin Stromplatine 5x6
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSG0811NDATMA1

Produkt-Nr.: P-DRB4XT-DR32P6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 25V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 3mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.84V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 8.4nC
Gehäusegröße: Stromplatine 5x6
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 50A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 6.25W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 50A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 25V
Gehäusegröße = Stromplatine 5x6
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Transistor-Konfiguration = N-Kanal-MOSFET°C
Höhe = 1.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein